[서울=뉴시스] 홍세희 박나리 기자 = SK하이닉스는 중국 창신메모리(CXMT)의 차세대 D램 기술 '4F²(포에프스퀘어)' 연내 상용화 계획에 대해 "기술 구현과 실제 상용화 시점을 구분해서 볼 필요가 있다"는 입장을 밝혔다.

SK하이닉스는 28일 3분기 실적발표 및 콘퍼런스콜에서 "새로운 셀 구조를 실제 제품에 적용하기 위해서는 성능뿐 아니라 수율과 신뢰성, 원가 경쟁력을 두루 확보하고 제품 설계와 고객 평가까지 거쳐야 한다"며 이같이 밝혔다.

앞서 CXMT가 차세대 D램 셀 구조인 4F² 신기술을 연내 서버용 DDR5 D램에 적용해 출시하겠다고 밝히자 삼성전자와 SK하이닉스의 메모리 기술 주도권이 흔들릴 수 있다는 우려가 나온 바 있다.

4F²는 D램 셀의 면적을 나타내는 지표인데, 현재 널리 사용되는 '6F²' 구조보다 셀 면적을 33% 줄일 수 있다.

같은 면적의 메모리 셀이면 4F² 구조로 만든 제품이 훨씬 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 차세대 D램 기술로 주목 받고 있다.

SK하이닉스는 "당사는 공정 성숙도와 안정적인 기술 플랫폼 운영을 바탕으로 기존 6F² 구조를 최대한 활용하면서 이후 4F² 또는 3D D램 플랫폼으로 전환하기 위한 기술 개발을 진행하고 있다"며 "극자외선(EUV) 기반의 미세화 공정 혁신을 통해 6F² 플랫폼을 추가로 확장할 수 있는 기술적 여력도 확보하고 있다"고 강조했다.

이어 "현시점에서는 양산 안정성과 원가 경쟁력이 검증된 플랫폼을 최대한 활용해 제품 경쟁력을 높이는 것이 가장 효율적인 전략"이라며 "앞으로도 축적된 공정·설계 기술과 양산 경험, 고객 협력 역량을 바탕으로 차세대 D램에서도 성능과 원가, 양산성을 모두 갖춘 기술 경쟁력을 이어갈 것"이라고 덧붙였다.

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