[서울=뉴시스]이지용 기자 = SK하이닉스가 미국 주식예탁증서(ADR) 상장을 통해 약 45조원의 자금을 조달할 예정인 가운데, 늘어난 전체 투자 여력을 활용해 호남 반도체 공장 조성에 대규모 자금을 투입할지 주목되고 있다.

회사는 조달 자금을 용인 클러스터 및 청주 팹(공장) 건설에 투입할 예정이라고 밝혔지만, 업계에서는 이번 ADR 상장을 계기로 향후 신규 생산거점 투자에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 보고 있다.

SK하이닉스는 지난 25일 미국 증권신고서를 통해 ADR 상장으로 조달하는 45조4534억원의 자금 전액을 시설 투자에 사용한다고 공시했다.

회사는 용인 반도체 클러스터 1기 팹 및 청주 P&T7 어드밴스드 패키징 팹 건설, 극자외선(EUV) 노광장비 확보 등에 자금을 쓸 계획이다.

인공지능(AI) 시대에 수요가 폭증하고 있는 고대역폭메모리(HBM) 등 고성능 메모리의 생산능력(캐파)을 확대하기 위한 투자다.

SK하이닉스가 조달 자금을 투자할 용인 클러스터 1기 팹은 내년 가동을 목표로 하고 있다. 청주 P&T7 팹도 2028년 완공될 것으로 보인다.

두 팹에 필요한 자금은 각각 총 31조원, 19조원 등이다.

업계에서는 이번 상장을 통해 SK하이닉스의 자금 여력이 45조원 이상 늘어나는 만큼, 향후 추가 생산 거점 확보 및 신규 시설 투자에도 속도를 낼 수 있을 것으로 보고 있다.

올 1분기 기준 SK하이닉스의 순현금 자산이 35조원인 것을 감안하면, 45조원이라는 금액은 적지 않은 수치다.

특히 논의가 급물살을 타고 있는 광주·전남 지역 반도체 공장 투자에 당장 대규모 자금을 선제적으로 투입할 가능성이 점쳐진다.

최근 삼성전자와 SK하이닉스는 광주·전남 지역에 반도체 전공정 팹을 건설하기로 하고 정부와 막판 조율 중인 것으로 전해지고 있다.

당초 패키징 등 후공정 시설 투자 가능성이 예상됐지만, 반도체 생산의 핵심인 전공정 팹 신설로 가닥을 잡은 것으로 보인다.

이렇게 되면 양사의 투자 금액은 수백조원에 달할 가능성이 높다.

후공정 팹에 필요한 자금이 수조원 수준이라면 전공정 팹은 수십조원에 달한다.

업계에서는 이번 SK하이닉스의 ADR 상장이 향후 대규모 신규 투자에 대비해 재무적 기반을 강화했다는 점에 의미를 두고 있다.

용인 클러스터 1기 팹과 청주 P&T7 등 팹에 대한 투자가 순차적으로 이뤄지는 것으로 알려졌는데, SK하이닉스가 ADR 상장을 통해 조달하는 자금 일부를 호남 반도체 공장에 활용할 가능성도 있다.

SK하이닉스는 증권신고서에서 "유상증자로 조달한 자금을 기재한 목적대로 사용하기 위해 최선을 다할 것"이라면서도 "향후 자금 집행 시점의 글로벌 경기 및 당사 영업 환경 변화에 따라 자금 사용 목적이 변경될 가능성을 배제할 수 없다"고 설명했다.

이번에 확보한 자금이 언제든 호남 공장 투자에 투입될 수 있는 셈이다.

다만, 호남 공장 건설에 천문학적인 자금이 필요한 만큼 자체 현금 조달 만으로는 여의치 않다는 분석도 나온다.

이에 SK하이닉스가 추가 ADR 발행이나 외부 투자 유치 등을 통해 재원을 조달할 수 있다.

이와 함께 정부의 직간접적인 지원도 관건이다.

정부는 앞서 첨단산업 투자 활성화를 위해 지방 투자 확대를 조건으로 금산분리 규제를 일부 완화하기로 했다.

일반지주회사의 자회사가 증손회사 지분 100%를 보유해야 하는 규제를 완화해 외부 자본과 손잡고 투자에 나설 수 있도록 한 것이다.

또 전력과 용수 등 인프라 구축에 정부의 파격적 지원이 이뤄지면 기업들의 부담을 크게 줄일 수 있다.

최태원 SK그룹 회장은 오는 30일 광주를 찾아 반도체 공장 건설 투자 계획을 발표할 것으로 알려졌다.

이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 "앞으로 회사의 수익이 계속 좋을 수는 없는 만큼, 미리 투자 자금을 확보해 놓아야 한다"며 "대규모 자금을 국내 및 해외 추가 공장 건설에 적절히 분배해야 필요가 있다"고 말했다.

최근 빅테크들의 AI 데이터센터 건설 투자 규모가 갈수록 커지면서 글로벌 메모리 기업들은 생산능력 확충 경쟁에 힘을 쏟고 있다.

삼성전자는 세계 최대 규모의 생산 거점인 평택캠퍼스 내 P4(4공장)의 준공 시점을 당초 내년 1분기에서 연내로 앞당긴 것으로 알려졌다.

삼성전자는 또 평택캠퍼스 내 P5(5공장) 구축에도 속도를 내고 있다. 지난해 12월부터 기초공사를 착수했으며, 이곳에서도 차세대 HBM을 생산할 전망이다.

마이크론도 미국 아이다호와 뉴욕 신규 팹을 각각 2027년 중반과 2028~2030년 가동을 시작한다.

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