[서울=뉴시스]이지용 기자 = "중국 창신메모리(CXMT)의 위협은 아직 '종이호랑이' 수준에 불과합니다."(미국 투자은행 로젠블랫)

"삼성전자와 CXMT의 D램 기술 격차는 여전히 7년에 달합니다."(KB증권)

중국 CXMT가 신기술을 앞세워 삼성전자와 SK하이닉스의 기술 경쟁력을 위협할 것이라는 우려가 커지고 있지만, 반도체 업계 및 증권가에서는 실질적인 위협으로 판단하기에는 시기상조라는 분석이 잇따르고 있다.

신기술을 먼저 적용하더라도 안정적인 수율(양품비율)과 원가 경쟁력 등을 확보해 대량 양산에 성공해야 해, 국내 기업들과 기술 격차를 좁히기는 쉽지 않다는 의견이 나온다.

15일 업계에 따르면 CXMT가 최근 차세대 D램 셀 구조인 '포에프스퀘어(4F²)' 신기술을 연내 서버용 DDR5 D램에 적용해 출시하겠다고 밝히자, 삼성전자와 SK하이닉스의 메모리 기술 주도권이 흔들릴 수 있다는 우려가 확산하고 있다.

4F²는 D램 셀의 면적을 나타내는 지표인데, 현재 널리 사용되는 '6F²' 구조보다 셀 면적을 33% 줄일 수 있다.

같은 면적의 메모리 셀이면 4F² 구조로 만든 제품이 훨씬 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 차세대 D램 기술로 주목 받고 있다.

CXMT가 실제로 연내 이 기술을 적용하게 되면 삼성전자와 SK하이닉스에 비해 2년 앞서게 된다는 해석도 나왔다.

하지만 업계에서는 CXMT의 신기술 개발이 국내 기업들에 실질적인 위협으로 판단하기에는 이르다는 평가가 연일 나오고 있다.

미국 투자은행 로젠블랫은 "실제 CXMT의 4F² 기술 위협은 '종이 호랑이' 수준에 불과하다"며 "현재 시장 수요 등을 고려했을 때 당장 이 기술을 활용한다고 해도 경제성이 크지는 않을 것"이라고 전했다.

증권가에서도 '기술 적용'과 '경제성 있는 대량 양산'은 엄연히 다르며 실질적인 경쟁력 확보로 해석하기는 무리가 있다는 지적이 나온다.

김동원 KB증권 리서치본부장은 이날 보고서를 통해 "메모리 경쟁력은 단순 신공정 개발이 아닌 안정적인 대량 양산과 수율 확보, 고객사 인증 능력으로 결정된다"며 "중국의 기술 추격에 대한 시장의 우려는 과도하다"고 분석했다.

김 본부장은 "삼성전자와 CXMT의 D램 공정 기술 격차는 5~7년에 이른다"고 판단했다.

권석준 성균관대 화학공학부 교수도 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 "CXMT 발표에는 '양산'이나 '샘플'이라는 표현이 없었고 사양과 출시일도 명확하지 않다"며 "이는 양산 발표가 아닌 출시 예고이며 양산은 적어도 2년 후가 될 것"이라고 설명했다.

업계에서는 CXMT가 미국의 반도체 장비 수출 규제로 첨단 극자외선(EUV) 노광장비 확보에 어려움을 겪고 있는 점도 기술 개발과 양산의 걸림돌로 보고 있다.

셀 면적이 작아져 회로를 더 미세하게 구현해야 하는 만큼 EUV 장비가 필수적이다. 구식 심자외선(DUV) 장비를 활용해 일부 기술적 한계를 극복해도 공정이 복잡해지고 생산 비용이 늘 수 밖에 없다.

삼성전자와 SK하이닉스는 이미 4F² 기술 연구를 해오고 있다는 점도 주목된다.

송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 전날 서울 코엑스에서 열린 '반도체대전(SEDEX) 2026'에서 4F² 기술 현황에 대해 "열심히 준비 중인 상황"이라고 말했다.

다만 양사는 구체적인 4F² 로드맵을 밝히지는 않았다.

업계 관계자는 "CXMT가 생산능력과 R&D에 막대한 자본을 투입하고 있어 추격을 지속 경계해야 한다"며 "국내 기업들은 중장기적인 관점에서 선단 기술 개발에 속도를 낼 필요가 있다"고 전했다.

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