[서울=뉴시스]박나리 기자 = SK하이닉스가 미국 인디애나주 고대역폭메모리(HBM) 생산기지에 첫 삽을 떴다.

내년 용인·청주 신규 팹 착공을 이어가는 한편 해외 추가 투자 가능성도 열어둬 차기 거점이 어디가 될지 관심이 쏠린다.

28일 업계에 따르면 SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣 퍼듀대학교에서 인공지능(AI) 메모리용 첨단 패키징 생산기지 착공식을 열었다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 이번 착공을 미국 내 HBM 공급망 구축을 위한 '새로운 여정의 시작'으로 표현하며 향후 생산기지 확대 가능성도 시사했다.

곽 사장은 "인디애나 프로젝트는 미국 최초의 HBM 생산거점을 구축하는 것"이라며 "'메이드 인 USA' HBM을 처음 공급하는 핵심 거점이자 미국 반도체 공급망을 강화하고 경제·안보에 기여하는 주요 기반이 될 것"이라고 말했다.

이어 "미국 최초의 HBM 첨단 패키징 생산시설에서 연간 수십만장 규모의 웨이퍼를 생산할 것으로 기대한다"며 "인디애나에서 AI의 미래를 열어갈 새로운 여정을 시작하겠다"고 덧붙였다.

SK하이닉스는 인디애나 팹에 40억달러(약 5조5000억원) 이상을 투자한다.

2028년 10월 클린룸을 열고 2029년 하반기부터 차세대 HBM을 양산할 예정이다.

인디애나 팹에서는 국내에서 생산한 첨단 웨이퍼를 가져와 패키징과 테스트를 거친 뒤 미국 고객에게 공급한다.

생산라인과 함께 고객·대학·협력사가 차세대 패키징 기술을 공동 개발하는 연구개발(R&D) 테스트베드도 구축한다.

인디애나에 이어 가장 먼저 예정된 추가 투자는 국내 신규 팹이다.

현재 건설 중인 용인 1기 팹(Y1)은 내년 2월 첫 클린룸을 연다.

이어 청주 낸드 생산기지 M17은 내년 2월, HBM 등 차세대 D램을 생산할 용인 2기 팹(Y2)은 내년 7월 각각 착공한다.

SK하이닉스는 Y2에 35조2000억원, M17에 19조1000억원 등 총 54조3000억원을 투자한다.

용인 반도체 클러스터에는 총 4기의 팹이 순차적으로 들어설 예정이어서 Y3·Y4 건설을 위한 후속 투자도 남아 있다.

국내 투자 일정과 함께 관심을 끄는 것은 해외 추가 생산기지다.

인디애나 팹은 국내에서 생산한 웨이퍼를 가져와 패키징하는 후공정 시설인 만큼 미국 현지에서 웨이퍼를 생산할 전공정 팹 건설 가능성이 계속 거론되고 있다.

최태원 SK그룹 회장은 지난 7월 미국 뉴욕에서 열린 기자간담회에서 팹 건설에 대규모 전력과 깨끗한 용수, 부지 등이 필요하다고 전제한 뒤 "조건에 맞는 장소가 있다면 미국이든 전 세계 어디든 상관없다"며 "많은 고객들이 미국에 팹을 지어주길 원하고 있다"고 말한 바 있다.

일본도 추가 생산기지 후보로 거론된다.

최 회장은 지난 6월 일본이 반도체 제조 장비와 소재, 전력 환경 등 생산에 필요한 생태계를 갖춘 곳이라며 현지 팹 건설 가능성을 열어뒀다.

이런 가운데 최근 SK하이닉스는 일본 미야기현에 메모리 팹을 건설한다는 보도를 두고 "메모리 사업 경쟁력 강화를 위해 추가 생산기지 구축을 포함한 여러 방안을 검토하고 있으나 현재까지 확정된 사항은 없다"고 공시했다.

다만 추가 생산기지 구축 가능성은 열어둔 만큼 전력·용수 등 인프라와 고객 접근성, 정부 지원 조건 등이 차기 투자처를 가를 것으로 보인다.

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