[서울=뉴시스]남주현 기자 = SK하이닉스는  "HBM4E의 하반기 샘플 공급을 준비 중이며 2027년 양산을 목표로 개발이 순조롭게 진행되고 있다"고 23일 밝혔다.

SK하이닉스는 이날 열린 1분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 7세대 HBME4 사업에 대한 질의에 이같이 말했다

SK하이닉스는 "현재 HBM4E는 출하 일정과 제품 스펙에 대해 고객사와 긴밀한 협의를 진행 중"이라고 말했다.

HBME4 코어다이에는 1c나노 공정을 적용할 예정이다.

SK하이닉스는 "당사의 1c나노 기술은 업계 최고 수준의 성능을 입증했고, 2025년 말부터 양산을 시작해 수율 및 양산 능력도 이미 성숙 단계에 도달했다"고 강조했다.

베이스 다이 역시 고객사 요구 성능에 부합하는 최적의 기술을 기반으로 고객사와 협업해 개발 중이라고 설명했다.

SK하이닉스는 "추가적인 기술 내재화와 고객 검증을 거쳐 HBM4E를 적기 개발하고, 우수한 양산 능력과 제품 품질을 통해 HBM 기술 리더십을 이어나갈 계획"이라고 말했다.

경쟁사인 삼성전자는 5월  HBM4E의 첫 번째 샘플 생산을 완료해 엔비디아 등 주요 고객사에 검증용 샘플을 전달할 계획으로 알려졌다.

아울러 AI 모델 고도화에 따른 중간 데이터 처리량의 폭발적 증가에 대응해 올해 말까지 국내 낸드 생산량의 절반 이상을 321단 기술로 전환하겠다고 말했다.

SK하이닉스는  "4월 세계 최초로 321단 QLC를 개발하고 고객 인증을 완료해 기술 초격차를 확보했다"며 "연말까지 국내 낸드 생산량의 50% 이상을 321단으로 전환할 것"이라고 했다.

이어 "176단에서 321단으로의 2단계 전환은 생산성 측면에서 매우 유의미한 효과가 기대된다"며 "AI 시장 성장에 따라 낸드 시장 내 영향력을 지속 확대해 나갈 계획"이라고 말했다.

한편, SK하이닉스는 올해 1분기 매출액 52조5763억원, 영업이익 37조 6103억원을 기록해 분기 기준으로 모두 역대 최대 실적을 기록했다.

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